Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR08PNH6433XTMA1

BCR08PNH6433XTMA1 Infineon Technologies

Name: BCR08PNH6433XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 23565469-5
Price: 48600 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

на замовлення 210000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10000+	4.86 грн

Мінімальне замовлення: 10000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BCR08PNH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 170MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO.

Інші пропозиції BCR08PNH6433XTMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
BCR08PNH6433XTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R	на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
BCR08PNH6433XTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SOT-363 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BCR08PNH6433XTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BCR08PNH6433XTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.