Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR108E6327HTSA1
BCR108E6327HTSA1

BCR108E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr108series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a27e5a401ce
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.16 грн
6000+2.73 грн
9000+2.56 грн
15000+2.23 грн
21000+2.13 грн
30000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR108E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85332100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BCR108 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції BCR108E6327HTSA1 за ціною від 3.45 грн до 30.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR108E6327HTSA1 BCR108E6327HTSA1 Infineon info-tbcr108s.pdf NPN 100mA 50V 200mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k BCR108 TBCR108
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108E6327HTSA1 BCR108E6327HTSA1 INFINEON INFNS17177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR108 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 8646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.40 грн
250+11.43 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108E6327HTSA1 BCR108E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr108series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a27e5a401ce Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 170 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
на замовлення 58223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
34+9.16 грн
100+5.70 грн
500+3.91 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108E6327HTSA1 BCR108E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BCR108SERIES_DS_v01_01_en.pdf Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
на замовлення 19563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.01 грн
21+15.64 грн
100+11.77 грн
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108E6327HTSA1 BCR108E6327HTSA1 INFINEON INFNS17177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR108 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 8646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.01 грн
62+13.40 грн
250+11.43 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108E6327HTSA1 info-tbcr108s.pdf
BCR108E6327HTSA1
Виробник: Infineon
NPN 100mA 50V 200mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k BCR108 TBCR108
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
200+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108E6327HTSA1 INFNS17177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR108E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR108 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 8646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.40 грн
250+11.43 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108E6327HTSA1 bcr108series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a27e5a401ce
BCR108E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 170 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
на замовлення 58223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.86 грн
34+9.16 грн
100+5.70 грн
500+3.91 грн
1000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108E6327HTSA1 Infineon_BCR108SERIES_DS_v01_01_en.pdf
BCR108E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
на замовлення 19563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+24.01 грн
21+15.64 грн
100+11.77 грн
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108E6327HTSA1 INFNS17177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR108E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR108 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 8646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
28+30.01 грн
62+13.40 грн
250+11.43 грн
1000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.