
BCR108E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR108E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCR108E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85332100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BCR108 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BCR108E6327HTSA1 за ціною від 1.86 грн до 18.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCR108E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR108E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR108E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR108E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR108E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85332100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR108 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 43689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR108E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 77100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR108E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 67837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR108E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85332100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR108 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 43689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BCR108E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCR108E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BCR108E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BCR108E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |