Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR108E6433HTMA1

BCR108E6433HTMA1 Infineon Technologies

Infineon-BCR108SERIES-DS-v01_01-en-1225436.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR

на замовлення 34227 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	20.72 грн
24+	14.60 грн
100+	8.00 грн
1000+	3.52 грн
2500+	3.08 грн
10000+	2.42 грн
20000+	2.28 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BCR108E6433HTMA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 170 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції BCR108E6433HTMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
BCR108E6433HTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BCR108E6433HTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BCR108E6433HTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 170 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.