Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR 108S H6327

BCR 108S H6327 Infineon Technologies

Name: BCR 108S H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 153269-4
Price: 352.44 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR

на замовлення 29229 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
12+	29.37 грн
15+	21.65 грн
100+	10.67 грн
500+	7.18 грн
1000+	5.44 грн
3000+	4.81 грн
6000+	4.11 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BCR 108S H6327 Infineon Technologies

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 170MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1, Part Status: Active.

Інші пропозиції BCR 108S H6327

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	BCR108SH6327	Виробник : Infineon Technologies	Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Part Status: Active	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.