BCR10PNH6327XTSA1 Infineon Technologies


bcr10pn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4855+7.29 грн
10000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 4855 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR10PNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCR10PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: BCR10PN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції BCR10PNH6327XTSA1 за ціною від 4.16 грн до 35.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR10PNH6327XTSA1 BCR10PNH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr10pn.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327XTSA1 BCR10PNH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr10pn.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327XTSA1 BCR10PNH6327XTSA1 INFINEON 1849689.html Description: INFINEON - BCR10PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR10PN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 18130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.76 грн
250+15.21 грн
1000+8.63 грн
9000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327XTSA1 BCR10PNH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BCR10PN-DS-v01_01-en.pdf Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.49 грн
21+15.56 грн
100+8.46 грн
500+6.27 грн
1000+5.50 грн
3000+4.65 грн
6000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327XTSA1 BCR10PNH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr10pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431441fb5d0114dae2a30d1f66 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.89 грн
15+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327XTSA1 BCR10PNH6327XTSA1 INFINEON 1849689.html Description: INFINEON - BCR10PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR10PN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 18130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.36 грн
50+17.76 грн
250+15.21 грн
1000+8.63 грн
9000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327XTSA1 bcr10pn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327XTSA1 bcr10pn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327XTSA1 1849689.html
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR10PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR10PN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 18130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+17.76 грн
250+15.21 грн
1000+8.63 грн
9000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327XTSA1 Infineon-BCR10PN-DS-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.49 грн
21+15.56 грн
100+8.46 грн
500+6.27 грн
1000+5.50 грн
3000+4.65 грн
6000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327XTSA1 bcr10pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431441fb5d0114dae2a30d1f66
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.89 грн
15+20.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR10PNH6327XTSA1 1849689.html
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR10PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR10PN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 18130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+35.36 грн
50+17.76 грн
250+15.21 грн
1000+8.63 грн
9000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.