BCR 112 E6327 Infineon Technologies
на замовлення 49506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.09 грн |
18+ | 17.5 грн |
100+ | 9.61 грн |
1000+ | 4.34 грн |
3000+ | 2.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR 112 E6327 Infineon Technologies
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.2W, Case: SOT23, Mounting: SMD, Frequency: 140MHz, Base resistor: 4.7kΩ, Base-emitter resistor: 4.7kΩ.
Інші пропозиції BCR 112 E6327
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BCR112-E6327 | Виробник : Infineon |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
BCR112ЎЎE6327 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
BCR112E6327 | Виробник : Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||
BCR112E6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 140MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ |
товар відсутній |