Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR112E6327HTSA1
BCR112E6327HTSA1
BCR112E6327HTSA1
BCR112E6327HTSA1BCR112E6327HTSA1

BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Kind of transistor: BRT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+45.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BCR112E6327HTSA1 за ціною від 4.84 грн до 33.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Infineon info-tbcr112.pdf NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr112series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39000+5.84 грн
156000+5.33 грн
234000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 39000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 INFINEON 1849691.pdf Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.40 грн
250+11.43 грн
1000+9.16 грн
19500+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
33+9.32 грн
100+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 INFINEON 1849691.pdf Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.91 грн
62+13.40 грн
250+11.43 грн
1000+9.16 грн
19500+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BCR112SERIES_DS_v01_01_en.pdf Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 53085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.22 грн
15+22.70 грн
100+12.48 грн
500+7.82 грн
1000+6.84 грн
3000+5.99 грн
6000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 info-tbcr112.pdf
BCR112E6327HTSA1
Виробник: Infineon
NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
200+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 bcr112series.pdf
BCR112E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
39000+5.84 грн
156000+5.33 грн
234000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 39000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 1849691.pdf
BCR112E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.40 грн
250+11.43 грн
1000+9.16 грн
19500+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0
BCR112E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.86 грн
33+9.32 грн
100+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 1849691.pdf
BCR112E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 23973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
26+31.91 грн
62+13.40 грн
250+11.43 грн
1000+9.16 грн
19500+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 Infineon_BCR112SERIES_DS_v01_01_en.pdf
BCR112E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 53085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.22 грн
15+22.70 грн
100+12.48 грн
500+7.82 грн
1000+6.84 грн
3000+5.99 грн
6000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.