Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR112E6327HTSA1

BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Name: BCR112E6327HTSA1
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: 16228533-8
Price: 440.68 UAH
Availability: InStock

bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ

на замовлення 1028 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
46+	9.58 грн
63+	6.47 грн
75+	5.40 грн
87+	4.69 грн
100+	4.08 грн
250+	3.44 грн
1000+	2.78 грн

Мінімальне замовлення: 46

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BCR112E6327HTSA1 за ціною від 2.26 грн до 17.93 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BCR112E6327HTSA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1028 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
28+	11.50 грн
38+	8.06 грн
45+	6.48 грн
52+	5.63 грн
100+	4.90 грн
250+	4.13 грн
1000+	3.34 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 414000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	2.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 37685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	6.82 грн
1000+	4.12 грн
19500+	2.49 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
65+	11.02 грн
112+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	16.80 грн
33+	9.87 грн
100+	6.11 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 37685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
49+	17.85 грн
83+	10.54 грн
250+	6.82 грн
1000+	4.12 грн
19500+	2.49 грн

Мінімальне замовлення: 49

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR

на замовлення 3403 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
21+	17.93 грн
35+	10.45 грн
100+	5.36 грн
500+	4.35 грн
1000+	3.80 грн
3000+	3.11 грн
6000+	2.72 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon

NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 4440 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
250+	2.47 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon

NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
250+	2.47 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.