BCR112E6327HTSA1
  • BCR112E6327HTSA1
  • BCR112E6327HTSA1

BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 5548 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.16 грн
59+6.76 грн
70+5.66 грн
80+4.92 грн
100+4.28 грн
250+3.62 грн
380+2.44 грн
1043+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BCR112E6327HTSA1 за ціною від 1.89 грн до 18.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR112E6327HTSA1
+1
BCR112E6327HTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.19 грн
35+8.42 грн
42+6.79 грн
50+5.90 грн
100+5.14 грн
250+4.34 грн
380+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr112series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 414000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.64 грн
6000+3.14 грн
9000+2.95 грн
15000+2.57 грн
21000+2.45 грн
30000+2.34 грн
75000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr112series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3341+3.66 грн
6000+3.11 грн
9000+2.83 грн
15000+2.70 грн
21000+2.00 грн
30000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3341
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr112series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.92 грн
6000+3.32 грн
9000+3.03 грн
15000+2.89 грн
21000+2.14 грн
30000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Виробник : INFINEON 1849691.pdf Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.67 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BCR112SERIES_DS_v01_01_en-3360059.pdf Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.64 грн
36+9.81 грн
100+5.21 грн
500+4.23 грн
1000+3.70 грн
3000+3.02 грн
6000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr112series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+17.28 грн
70+9.99 грн
83+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 76512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.96 грн
30+10.53 грн
100+6.56 грн
500+4.51 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Виробник : INFINEON 1849691.pdf Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+18.96 грн
79+10.84 грн
250+6.67 грн
1000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 Виробник : Infineon bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0 NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 4740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 Виробник : Infineon bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0 NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112E6327HTSA1 BCR112E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr112series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.