
BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Frequency: 140MHz
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 6603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 16.28 грн |
45+ | 8.47 грн |
68+ | 5.56 грн |
92+ | 4.11 грн |
250+ | 2.62 грн |
341+ | 2.60 грн |
936+ | 2.46 грн |
3000+ | 2.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BCR112E6327HTSA1 за ціною від 1.98 грн до 28.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() +1 |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Frequency: 140MHz Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Collector-emitter voltage: 50V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 414000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 25899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 76512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 25899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 4740 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BCR112E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |