Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR112E6327HTSA1

BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Name: BCR112E6327HTSA1
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: 16228533-8
Price: 427.56 UAH
Availability: InStock

bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 140MHz

на замовлення 5523 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
42+	10.18 грн
59+	6.77 грн
70+	5.67 грн
80+	4.93 грн
100+	4.29 грн
250+	3.62 грн
378+	2.46 грн
1038+	2.32 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BCR112E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BCR112E6327HTSA1 за ціною від 1.88 грн до 19.00 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BCR112E6327HTSA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 140MHz
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 5523 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
25+	12.21 грн
35+	8.44 грн
42+	6.81 грн
50+	5.92 грн
100+	5.15 грн
250+	4.35 грн
378+	2.95 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 414000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	2.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 228000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3341+	3.63 грн
6000+	3.08 грн
9000+	2.80 грн
15000+	2.67 грн
21000+	1.98 грн
30000+	1.88 грн

Мінімальне замовлення: 3341

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	3.65 грн
6000+	3.14 грн
9000+	2.96 грн
15000+	2.58 грн
21000+	2.46 грн
30000+	2.35 грн
75000+	2.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 228000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	3.88 грн
6000+	3.29 грн
9000+	3.00 грн
15000+	2.86 грн
21000+	2.12 грн
30000+	2.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - BCR112E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 17988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	6.68 грн
1000+	3.99 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_BCR112SERIES_DS_v01_01_en-3360059.pdf

Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR

на замовлення 3780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
22+	16.67 грн
36+	9.83 грн
100+	5.22 грн
500+	4.23 грн
1000+	3.71 грн
3000+	3.02 грн
6000+	2.65 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 113 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
41+	17.11 грн
70+	9.90 грн
83+	8.41 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 140 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 76512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	17.99 грн
30+	10.55 грн
100+	6.57 грн
500+	4.51 грн
1000+	3.98 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : INFINEON

на замовлення 17988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
45+	19.00 грн
79+	10.86 грн
250+	6.68 грн
1000+	3.99 грн

Мінімальне замовлення: 45

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon

NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 4440 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
250+	2.40 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon

NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR112E6327, BCR112E6327HTSA1, SP000010747 BCR112 TBCR112
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
250+	2.40 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

BCR112E6327HTSA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.