BCR 112W H6327 Infineon
Виробник: Infineon
NPN 50V 100mA 140MHz 250mW BCR112WH6327XTSA1 BCR112WH6327 Infineon TBCR112w
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR 112W H6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 140 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.
Інші пропозиції BCR 112W H6327 за ціною від 2.92 грн до 29.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR112WH6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCR 112W H6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR |
на замовлення 21556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|