BCR112WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 48338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8043+ | 3.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR112WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 140 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції BCR112WH6327XTSA1 за ціною від 3.82 грн до 3.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCR112WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
BCR112WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BCR112WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| BCR112WH6327XTSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR112WH6327XTSA1 - BCR112 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||
 |
BCR112WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
BCR112WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 140 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||
| BCR112WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS |
товару немає в наявності |