Продукція > INFINEON > BCR129S E6327

BCR129S E6327 INFINEON


Виробник: INFINEON
SOT363-WV
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR129S E6327 INFINEON

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Active.

Інші пропозиції BCR129S E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR129SE6327 BCR129SE6327 Infineon Technologies INFNS17180-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 129S E6327 Infineon Technologies bcr129series-337141.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129SE6327 INFNS17180-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR129SE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 129S E6327 bcr129series-337141.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.