Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BCR133E6327HTSA1

BCR133E6327HTSA1

bcr133series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7f8a3f0288
Код товару: 204054
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BCR133E6327HTSA1 за ціною від 1.94 грн до 31.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR133E6327HTSA1 BCR133E6327HTSA1 Infineon info-tbcr133.pdf NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k BCR133E ; Possible Substitute: PDTC114ET BCR133E6433 BCR133 TBCR133
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327HTSA1 BCR133E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-611.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 13814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.24 грн
250+11.35 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327HTSA1 BCR133E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-611.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 13814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.66 грн
63+13.24 грн
250+11.35 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327HTSA1 BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr133series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7f8a3f0288 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 130 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR133_Infineon.pdf Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Кор
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 1863 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327HTSA1 info-tbcr133.pdf
BCR133E6327HTSA1
Виробник: Infineon
NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k BCR133E ; Possible Substitute: PDTC114ET BCR133E6433 BCR133 TBCR133
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
200+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327HTSA1 SIEMD095-611.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR133E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 13814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.24 грн
250+11.35 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327HTSA1 SIEMD095-611.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR133E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85332100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 13814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
26+31.66 грн
63+13.24 грн
250+11.35 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327HTSA1 bcr133series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7f8a3f0288
BCR133E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 130 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327HTSA1 BCR133_Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Кор
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 1863 шт
В кошику  од. на суму  грн.