BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85332100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BCR133E6327HTSA1 за ціною від 2.48 грн до 19.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCR133E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR133E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR133E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR133E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR133E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85332100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR133E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 13785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR133E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA |
на замовлення 1307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR133E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR133E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR133E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohmtariffCode: 85332100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BCR133E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
NPN 100mA 50V 200mW 130MHz w/ res. 10k+10k BCR133E ; Possible Substitute: PDTC114ET BCR133E6433 BCR133 TBCR133кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 295 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCR133E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Транзистор цифровий smd; Тип стр. = NPN; Ic = 100 мА; ft, МГц = 130; hFE = 30 @ 5 мA, 5 В; Icutoff-max = 100 нА; R1, кОм = 10; R2, кОм = 10; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА; Uсe, B = 50; Р, Вт = 0,2; Тексп, °C = -65...+150; SOT-23-3 |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
BCR133E6327HTSA1 Код товару: 204054
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
BCR133E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BCR133E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BCR133E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |




