BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21000+ | 5.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCR135E6327HTSA1 за ціною від 5.26 грн до 54.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCR135E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BCR135E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BCR135E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 26613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCR135E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 26613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCR135E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BCR135E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 150, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150,... Група товару: Т кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
BCR135E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BCR135E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
товару немає в наявності |