Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR135E6327HTSA1
BCR135E6327HTSA1

BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr135series.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції BCR135E6327HTSA1 за ціною від 4.25 грн до 28.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR135E6327HTSA1 BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr135series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327HTSA1 BCR135E6327HTSA1 INFINEON 1849693.html Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 26213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.24 грн
250+11.35 грн
1000+6.48 грн
19500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327HTSA1 BCR135E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr135series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f8b054a0289 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.41 грн
25+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327HTSA1 BCR135E6327HTSA1 INFINEON 1849693.html Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 26213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.29 грн
63+13.24 грн
250+11.35 грн
1000+6.48 грн
19500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327HTSA1 bcr135series.pdf
BCR135E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
21000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327HTSA1 1849693.html
BCR135E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 26213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.24 грн
250+11.35 грн
1000+6.48 грн
19500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327HTSA1 bcr135series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f8b054a0289
BCR135E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.41 грн
25+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327HTSA1 1849693.html
BCR135E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 26213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+28.29 грн
63+13.24 грн
250+11.35 грн
1000+6.48 грн
19500+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.