BCR135WE6327 Infineon

Транз. Бипол. (со встроенными резисторами 10k,47k) ММ NPN SOT323 Uceo=50V; Ic=0,1A; Pdmax=0,25W; hfemin=70
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
58+ | 5.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR135WE6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції BCR135WE6327
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
BCR135WE6327 | Виробник : INFINEON |
![]() |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
BCR135WE6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
BCR135WE6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |