BCR141E6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39000+ | 2.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR141E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCR141E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BCR141 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції BCR141E6327HTSA1 за ціною від 2.52 грн до 19.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCR141E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR141E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR141E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCR141E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCR141E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR141E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR141 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR141E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR141E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BCR141 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR141E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BCR141E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BCR141E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BCR141E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BCR141E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |