BCR 142 E6327 Infineon Technologies
на замовлення 16945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 22.06 грн |
22+ | 15.48 грн |
100+ | 8.53 грн |
1000+ | 3.75 грн |
3000+ | 3.31 грн |
9000+ | 2.50 грн |
24000+ | 2.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR 142 E6327 Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції BCR 142 E6327
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
BCR142 E6327 | Виробник : INFINEON | SOT23-WZ PB-FREE |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
BCR142E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |