Продукція > INFINEON > BCR158E6327HTSA1

BCR158E6327HTSA1 Infineon


info-tbcr158.pdf
Виробник: Infineon
PNP 50V 100mA 200mW BCR158E6327 BCR158E6327HTSA1 BCR158 INF TBCR158
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 640 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR158E6327HTSA1 Infineon

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: PG-SOT23, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BCR158E6327HTSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR158E6327HTSA1 BCR158E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr158series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144022a59b02cc Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327HTSA1 BCR158E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BCR158SERIES-DS-v01_01-en.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327HTSA1 bcr158series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144022a59b02cc
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327HTSA1 Infineon-BCR158SERIES-DS-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.