BCR169WE6327

BCR169WE6327 Infineon Technologies


INFNS11715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13172+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 13172
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR169WE6327 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BCR169WE6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR169WE6327 BCR169WE6327 Виробник : Infineon Technologies bcr169series2.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній