Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR183E6327HTSA1
BCR183E6327HTSA1

BCR183E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr183series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144036c8c902d3
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.26 грн
6000+2.81 грн
9000+2.64 грн
15000+2.30 грн
21000+2.20 грн
30000+2.10 грн
75000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR183E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції BCR183E6327HTSA1 за ціною від 2.33 грн до 16.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR183E6327HTSA1 BCR183E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr183series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144036c8c902d3 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 102019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
33+9.47 грн
100+5.86 грн
500+4.03 грн
1000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183E6327HTSA1 BCR183E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BCR183SERIES-DS-v01_01-en.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 25910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.94 грн
37+8.92 грн
100+5.43 грн
500+4.02 грн
1000+3.52 грн
3000+2.47 грн
6000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183E6327HTSA1 Infineon bcr183series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144036c8c902d3
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183E6327HTSA1 bcr183series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144036c8c902d3
BCR183E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 102019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.86 грн
33+9.47 грн
100+5.86 грн
500+4.03 грн
1000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183E6327HTSA1 Infineon-BCR183SERIES-DS-v01_01-en.pdf
BCR183E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 25910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.94 грн
37+8.92 грн
100+5.43 грн
500+4.02 грн
1000+3.52 грн
3000+2.47 грн
6000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183E6327HTSA1 bcr183series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144036c8c902d3
Виробник: Infineon
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.