
BCR183E6433HTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 2.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR183E6433HTMA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції BCR183E6433HTMA1 за ціною від 2.56 грн до 4.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCR183E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 92242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BCR183E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BCR183E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
BCR183E6433HTMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
BCR183E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
BCR183E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товару немає в наявності |
|||||||||
BCR183E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |