
BCR183SH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR183SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT363-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO, Part Status: Active.
Інші пропозиції BCR183SH6327XTSA1 за ціною від 4.49 грн до 6.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCR183SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BCR183SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BCR183SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 73489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BCR183SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BCR183SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
BCR183SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
BCR183SH6327XTSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
BCR183SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
BCR183SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
BCR183SH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |