BCR185E6327

BCR185E6327 INFINEON TECHNOLOGIES


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C579BD09108469&compId=BCR185.pdf?ci_sign=8b5a427d7e89c96143962f50eb7401ae7f4fadba Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
112+3.82 грн
124+3.20 грн
250+2.83 грн
380+2.45 грн
1045+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR185E6327 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції BCR185E6327 за ціною від 2.89 грн до 21.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR 185 E6327 BCR 185 E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCR185SERIES-DS-v01_01-en.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 97631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.37 грн
24+14.60 грн
100+8.06 грн
500+4.94 грн
1000+3.88 грн
3000+3.42 грн
6000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185E-6327
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185E6327 BCR185E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.