BCR191E6327

BCR191E6327 Infineon Technologies


INFNS11718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 60871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8013+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 8013
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR191E6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

Інші пропозиції BCR191E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR191 E6327 Виробник : INFINEON SOT23-WO PB-FREE
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 191 E6327 BCR 191 E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCR191SERIES-DS-v01_01-en.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR191E6327 BCR191E6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BCR191.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.