BCR 192W H6327 Infineon
Виробник: Infineon
Transistor PNP bipolar 50V 100mA BCR192WH6327XT BCR192WH6327 TBCR192wh
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR 192W H6327 Infineon
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk, Transistor Type: PNP - Pre-Biased.
Інші пропозиції BCR 192W H6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR192WH6327 | Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk Transistor Type: PNP - Pre-Biased |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BCR 192W H6327 | Infineon Technologies |
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BCR192WH6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCR 192W H6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.