BCR 192W H6327 Infineon
Виробник: Infineon
Transistor PNP bipolar 50V 100mA BCR192WH6327XT BCR192WH6327 TBCR192wh
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor PNP bipolar 50V 100mA BCR192WH6327XT BCR192WH6327 TBCR192wh
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 5.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR 192W H6327 Infineon
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції BCR 192W H6327 за ціною від 8.75 грн до 36.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCR 192W H6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
BCR192WH6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 22kΩ Mounting: SMD Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
BCR192WH6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
BCR192WH6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 22kΩ Mounting: SMD Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SOT323 |
товару немає в наявності |