Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR196E6327HTSA1
BCR196E6327HTSA1

BCR196E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr196series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144048156b02db
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6648+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 6648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR196E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Frequency - Transition: 150 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Supplier Device Package: PG-SOT23, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BCR196E6327HTSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCR196E6327HTSA1 BCR196E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr196series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144048156b02db Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 39000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR196E6327HTSA1 BCR196E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr196series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144048156b02db Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR196E6327HTSA1 bcr196series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144048156b02db
BCR196E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 39000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR196E6327HTSA1 bcr196series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144048156b02db
BCR196E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.