
BCR198E6433HTMA1 Infineon Technologies

Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11905+ | 2.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR198E6433HTMA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 190 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції BCR198E6433HTMA1 за ціною від 2.55 грн до 2.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCR198E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 28105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
BCR198E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
BCR198E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
BCR198E6433HTMA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
![]() |
BCR198E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
BCR198E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
BCR198E6433HTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 190 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |