BCR198WH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR198WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 190 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції BCR198WH6327XTSA1 за ціною від 1.52 грн до 1.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCR198WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| BCR198WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
PNP 50V 100mA 190MHz 250mW BCR198WE6327XTSA1 BCR198WH6327 Infineon TBCR198wкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
|
BCR198WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||
|
BCR198WH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 190 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |
|||||
| BCR198WH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SC70,SOT323; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SC70; SOT323 Current gain: 70 Mounting: SMD Frequency: 190MHz Base resistor: 47kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 47kΩ |
товару немає в наявності |


