BCR22PN Diotec Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3938+ | 3.14 грн |
| 9000+ | 2.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR22PN Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - BCR22PN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BCR22PN за ціною від 1.70 грн до 15.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCR22PN | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 60V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 4275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCR22PN | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BCR22PN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohmtariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCR22PN | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCR22PN | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BCR22PN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BCR22PN | Виробник : Diotec Semiconductor |
BCR22PN |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BCR22PN | Виробник : import |
Darl.NPN/PNP 50V 100mA 250mW 130MHz BCR22PN TBCR22pnкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BCR22PN | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
BCR22PN-DIO Complementary transistors |
на замовлення 11155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
BCR22PN | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 60V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
BCR22PN | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BCR22PN | Виробник : Diotec Semiconductor |
Digital Transistors Digital Transistor, SOT-363, 60V, 100mA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
BCR22PN | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors |
товару немає в наявності |



