BCR35PNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR35PNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: BCR35PN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BCR35PNH6327XTSA1 за ціною від 2.80 грн до 40.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR35PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy |
на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BCR35PNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR35PN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCR35PNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR35PN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BCR35PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR |
на замовлення 12818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BCR35PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
NPN/PNP 50 V 100 mA Silicon Digital Transistor Array BCR35PNH6433XTMA1 BCR35PNH6433XT BCR35PNH6327XT BCR35PNH6327XZ BCR35PNH6433XZ BCR35PNH6327XTSA1 TBCR35pnh кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
BCR35PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BCR35PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BCR35PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy |
товару немає в наявності |