Продукція > INFINEON > BCR35PNH6327XTSA1
BCR35PNH6327XTSA1

BCR35PNH6327XTSA1 Infineon

info-tbcr35pnh.pdf
Виробник: Infineon
NPN/PNP 50 V 100 mA Silicon Digital Transistor Array BCR35PNH6433XTMA1 BCR35PNH6433XT BCR35PNH6327XT BCR35PNH6327XZ BCR35PNH6433XZ BCR35PNH6327XTSA1 TBCR35pnh
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
200+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR35PNH6327XTSA1 Infineon

Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: BCR35PN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції BCR35PNH6327XTSA1 за ціною від 5.19 грн до 39.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR35PNH6327XTSA1 BCR35PNH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr35pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a3730114406b0def02ff Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT363
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4116+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 4116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6327XTSA1 BCR35PNH6327XTSA1 INFINEON 1849699.pdf Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR35PN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 12157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.23 грн
500+8.86 грн
1000+6.24 грн
5000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6327XTSA1 BCR35PNH6327XTSA1 INFINEON 1849699.pdf Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR35PN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 12157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.22 грн
35+24.09 грн
100+14.23 грн
500+8.86 грн
1000+6.24 грн
5000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6327XTSA1 BCR35PNH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BCR35PN-DS-v01_01-en-1226142.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 12818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.39 грн
12+29.26 грн
100+15.86 грн
500+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6327XTSA1 bcr35pn.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a3730114406b0def02ff
BCR35PNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT363
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4116+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 4116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6327XTSA1 1849699.pdf
BCR35PNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR35PN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 12157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+14.23 грн
500+8.86 грн
1000+6.24 грн
5000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6327XTSA1 1849699.pdf
BCR35PNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR35PNH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: BCR35PN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 12157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+33.22 грн
35+24.09 грн
100+14.23 грн
500+8.86 грн
1000+6.24 грн
5000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR35PNH6327XTSA1 Infineon-BCR35PN-DS-v01_01-en-1226142.pdf
BCR35PNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 12818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+39.39 грн
12+29.26 грн
100+15.86 грн
500+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.