Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR503E6327HTSA1
BCR503E6327HTSA1

BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr503.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407759130305
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 100 MHz
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.51 грн
6000+3.96 грн
9000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BCR503 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції BCR503E6327HTSA1 за ціною від 3.88 грн до 45.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr503.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407759130305 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 18511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
28+11.00 грн
100+7.40 грн
500+5.33 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 INFINEON 1849698.html Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR503 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.91 грн
500+11.99 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BCR503_DS_v01_01_en-1731212.pdf Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 500MA
на замовлення 8840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.42 грн
22+14.83 грн
100+8.11 грн
500+6.06 грн
1000+5.07 грн
3000+4.37 грн
6000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCR503.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.67 грн
25+17.48 грн
30+14.51 грн
100+7.60 грн
250+6.19 грн
500+5.46 грн
1000+4.93 грн
1300+4.76 грн
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 INFINEON 1849698.html Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR503 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.23 грн
27+30.67 грн
100+18.91 грн
500+11.99 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 bcr503.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407759130305
BCR503E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 18511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.65 грн
28+11.00 грн
100+7.40 грн
500+5.33 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 1849698.html
BCR503E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR503 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+18.91 грн
500+11.99 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 Infineon_BCR503_DS_v01_01_en-1731212.pdf
BCR503E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 500MA
на замовлення 8840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+24.42 грн
22+14.83 грн
100+8.11 грн
500+6.06 грн
1000+5.07 грн
3000+4.37 грн
6000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503.pdf
BCR503E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+24.67 грн
25+17.48 грн
30+14.51 грн
100+7.60 грн
250+6.19 грн
500+5.46 грн
1000+4.93 грн
1300+4.76 грн
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 1849698.html
BCR503E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR503 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+45.23 грн
27+30.67 грн
100+18.91 грн
500+11.99 грн
1000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.