Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR503E6327HTSA1
BCR503E6327HTSA1

BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr503.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407759130305
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 100 MHz
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.38 грн
6000+3.84 грн
9000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BCR503 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції BCR503E6327HTSA1 за ціною від 4.21 грн до 424.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 303125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6225+5.65 грн
10000+5.04 грн
100000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 6225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3408132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6225+5.65 грн
10000+5.04 грн
100000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 6225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
6000+5.41 грн
9000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr503.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407759130305 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 18511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.16 грн
28+10.67 грн
100+7.18 грн
500+5.17 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCR503.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Kind of transistor: BRT
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+24.83 грн
22+18.94 грн
25+16.47 грн
100+8.98 грн
250+7.00 грн
500+6.01 грн
1000+5.52 грн
1300+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+424.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+424.28 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BCR503_DS_v01_01_en-1731212.pdf Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 500MA
на замовлення 8840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 INFINEON 1849698.html Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR503 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 INFINEON 1849698.html Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR503 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 bcr503.pdf
BCR503E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 303125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6225+5.65 грн
10000+5.04 грн
100000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 6225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 bcr503.pdf
BCR503E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3408132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6225+5.65 грн
10000+5.04 грн
100000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 6225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 bcr503.pdf
BCR503E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 bcr503.pdf
BCR503E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.73 грн
6000+5.41 грн
9000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 bcr503.pdf
BCR503E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 bcr503.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407759130305
BCR503E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 18511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.16 грн
28+10.67 грн
100+7.18 грн
500+5.17 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503.pdf
BCR503E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Kind of transistor: BRT
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+24.83 грн
22+18.94 грн
25+16.47 грн
100+8.98 грн
250+7.00 грн
500+6.01 грн
1000+5.52 грн
1300+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 bcr503.pdf
BCR503E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+424.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 bcr503.pdf
BCR503E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+424.28 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 Infineon_BCR503_DS_v01_01_en-1731212.pdf
BCR503E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 500MA
на замовлення 8840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 1849698.html
BCR503E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR503 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 1849698.html
BCR503E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR503 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.