BCR503E6327HTSA1

BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies


bcr503.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR503E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: BCR503 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BCR503E6327HTSA1 за ціною від 3.67 грн до 369.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr503.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407759130305 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.64 грн
6000+4.07 грн
9000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.84 грн
6000+4.28 грн
9000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3408132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6225+4.92 грн
10000+4.39 грн
100000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 6225
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 303125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6225+4.92 грн
10000+4.39 грн
100000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 6225
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.19 грн
6000+4.59 грн
9000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : INFINEON 1849698.html Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR503 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.13 грн
1000+5.54 грн
5000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr503.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407759130305 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 100 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 18511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.14 грн
28+11.32 грн
100+7.62 грн
500+5.48 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BCR503_DS_v01_01_en-1731212.pdf Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 500MA
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.15 грн
22+15.88 грн
100+8.68 грн
500+6.49 грн
1000+5.43 грн
3000+4.68 грн
6000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : INFINEON 1849698.html Description: INFINEON - BCR503E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR503 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.67 грн
52+16.42 грн
100+10.33 грн
500+7.13 грн
1000+5.54 грн
5000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C56C2C8D2EC469&compId=BCR503.pdf?ci_sign=9fd95cda543b3b14d33c4843aec4d29fbb1d0b45 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
на замовлення 7598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.27 грн
24+16.90 грн
33+12.26 грн
50+10.06 грн
100+8.57 грн
208+4.48 грн
573+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C56C2C8D2EC469&compId=BCR503.pdf?ci_sign=9fd95cda543b3b14d33c4843aec4d29fbb1d0b45 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7598 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.93 грн
14+21.06 грн
25+14.71 грн
50+12.07 грн
100+10.28 грн
208+5.38 грн
573+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+342.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+369.36 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR503E6327HTSA1 BCR503E6327HTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcr503.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.