BCR521E6327 Infineon
Виробник: InfineonTransistor NPN; Bipolar; 20; 12V; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C~150°C; Substitute: BCR521E6327HTSA1; BCR521E6327; BCR521E6327 TBCR521
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 4.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR521E6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 100 MHz, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.
Інші пропозиції BCR521E6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR521E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms |
товару немає в наявності |
|
| BCR 521 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
||
| BCR 521 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
товару немає в наявності |