BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2058+ | 6.75 грн |
| 2067+ | 6.72 грн |
| 2069+ | 6.71 грн |
| 2087+ | 6.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCR523E6327HTSA1 за ціною від 2.77 грн до 152.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR523E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR523E6327HTSA1; BCR523E6433HTMA1; BCR523E6433; BCR523E6327; BCR523E INFINEON; BCR523E6433HTMA1 TBCR523 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCR523E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
на замовлення 41826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCR523E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR523E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BCR523E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR523E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BCR523E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BCR523E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BCR523E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 100 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товару немає в наявності |