BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.
Інші пропозиції BCR562E6327HTSA1 за ціною від 3.02 грн до 18.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR562E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR562E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCR562E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR562E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCR562E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 13828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCR562E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
на замовлення 13950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BCR562E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
PNP 500mA 50V 330mW 150MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR562 TBCR562 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCR562E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
PNP 500mA 50V 330mW 150MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR562 TBCR562 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BCR562E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BCR562E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BCR562E6327HTSA1 PNP SMD transistors |
товару немає в наявності |