Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR562E6327HTSA1
BCR562E6327HTSA1

BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies

bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: PG-SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.40 грн
6000+3.86 грн
9000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 150 MHz, Power - Max: 330 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: PG-SOT23, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BCR562E6327HTSA1 за ціною від 4.65 грн до 23.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Infineon info-tbcr562.pdf PNP 500mA 50V 330mW 150MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR562 TBCR562
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Infineon info-tbcr562.pdf PNP 500mA 50V 330mW 150MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR562 TBCR562
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 13828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
29+10.84 грн
100+7.23 грн
500+5.20 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR562E6327HTSA1 BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BCR562-DS-v01_01-en.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.35 грн
24+13.86 грн
100+7.61 грн
500+5.64 грн
1000+5.43 грн
3000+5.22 грн
6000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR562E6327HTSA1 info-tbcr562.pdf
BCR562E6327HTSA1
Виробник: Infineon
PNP 500mA 50V 330mW 150MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR562 TBCR562
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR562E6327HTSA1 info-tbcr562.pdf
BCR562E6327HTSA1
Виробник: Infineon
PNP 500mA 50V 330mW 150MHz w/ res. 4.7k+4.7k BCR562 TBCR562
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR562E6327HTSA1 bcr562.pdf?folderId=db3a30431428a3730114407566730303&fileId=db3a30431428a37301144082f4ed030d
BCR562E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 13828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.65 грн
29+10.84 грн
100+7.23 грн
500+5.20 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR562E6327HTSA1 Infineon-BCR562-DS-v01_01-en.pdf
BCR562E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+23.35 грн
24+13.86 грн
100+7.61 грн
500+5.64 грн
1000+5.43 грн
3000+5.22 грн
6000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.