BCV62AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCV62AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-143, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BCV62AE6327HTSA1 за ціною від 6.07 грн до 9.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCV62AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 7885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
BCV62AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
BCV62AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
BCV62AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
BCV62AE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mAtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
BCV62AE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mAtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-143 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
BCV62AE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCV62AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2315+ | 6.07 грн |
| BCV62AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4049+ | 8.67 грн |
| BCV62AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 9.03 грн |
| BCV62AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BCV62AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCV62AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BCV62AE6327HTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-143
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCV62AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 4-Pin SOT-143 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




