BCV65,215 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 30V 100MA SOT-143B
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-143B
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Packaging: Bulk
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Технічний опис BCV65,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BCV65,215 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 250mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-143B, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 250mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.
Інші пропозиції BCV65,215
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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BCV65,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCV65,215 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 250mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-143B Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BCV65,215 | NEXPERIA |
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на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCV65,215 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCV65,215 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: NEXPERIA - BCV65,215 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW
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на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCV65,215 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCV65,215 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: NEXPERIA - BCV65,215 - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 250 mW
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