BCV71,215 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: NOW NEXPERIA BCV71 - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: NOW NEXPERIA BCV71 - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 1.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCV71,215 NXP USA Inc.
Description: NEXPERIA - BCV71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BCV71,215 за ціною від 0.69 грн до 38.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCV71,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCV71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : Nexperia | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCV71/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 12356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCV71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 110...220 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 110...220 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : NXP |
Description: NXP - BCV71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCV71,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
BCV71,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |