BCW68GE6327 Infineon

PNP 800mA 45V 225mW 100MHz BCW68GLT3G, BCW68GLT1G, BCW68GE6327HTSA1, BCW68GE6327, BCW68G BCW68G TBCW68g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
200+ | 2.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW68GE6327 Infineon
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 330 mW.
Інші пропозиції BCW68GE6327
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCW68GE6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW |
товару немає в наявності |
|
BCW68GE6327 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
BCW 68G E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
BCW68GE6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Polarisation: bipolar Mounting: SMD |
товару немає в наявності |