BCW30,215 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW30,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BCW30,215 за ціною від 2.87 грн до 27.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCW30,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW30,215 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW30,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW30,215 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 215...500 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 967 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW30,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236ABPower - Max: 250 mW Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA |
на замовлення 4226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW30,215 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW30,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BCW30,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2132+ | 5.04 грн |
| 3000+ | 4.11 грн |
| 6000+ | 3.62 грн |
| 9000+ | 2.87 грн |
| BCW30,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6173+ | 5.75 грн |
| 10000+ | 5.11 грн |
| BCW30,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 6.42 грн |
| 1500+ | 5.13 грн |
| BCW30,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 215...500
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 215...500
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 967 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 9.84 грн |
| 60+ | 6.98 грн |
| 85+ | 4.90 грн |
| BCW30,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 15.53 грн |
| 34+ | 8.82 грн |
| 100+ | 5.49 грн |
| 500+ | 3.76 грн |
| 1000+ | 3.31 грн |
| BCW30,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 20.05 грн |
| 28+ | 11.43 грн |
| 100+ | 6.08 грн |
| 500+ | 4.42 грн |
| 1000+ | 3.80 грн |
| 3000+ | 3.31 грн |
| BCW30,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 27.06 грн |
| 52+ | 15.62 грн |
| 100+ | 9.50 грн |
| 500+ | 6.42 грн |
| 1500+ | 5.13 грн |






