Продукція > ONSEMI > BCW30LT1G
BCW30LT1G
BCW30LT1G
BCW30LT1GBCW30LT1G

BCW30LT1G ONSEMI

BCW30LT1-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 215...500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.32 грн
50+8.45 грн
70+6.06 грн
100+5.25 грн
500+3.85 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW30LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215, DC-Stromverstärkung hFE: 215, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції BCW30LT1G за ціною від 1.32 грн до 15.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCW30LT1G BCW30LT1G ON-Semiconductor info-tbcw30.pdf PNP 100mA 32V 250mW 100MHz BCW30,215, BCW30LT1G BCW30 smd TBCW30
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1G onsemi BCW30LT1-D.PDF Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1G ON Semiconductor bcw30lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.96 грн
6000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1G ON Semiconductor bcw30lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3563+3.96 грн
6000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1G ON Semiconductor bcw30lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.14 грн
76+9.93 грн
77+9.86 грн
114+6.40 грн
250+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1G onsemi BCW30LT1-D.PDF Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.64 грн
34+8.89 грн
100+5.53 грн
500+3.79 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1G ON Semiconductor bcw30lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1G onsemi BCW30LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V PNP
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1G ON Semiconductor bcw30lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1G ON Semiconductor bcw30lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G info-tbcw30.pdf
BCW30LT1G
Виробник: ON-Semiconductor
PNP 100mA 32V 250mW 100MHz BCW30,215, BCW30LT1G BCW30 smd TBCW30
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1-D.PDF
BCW30LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G bcw30lt1d.pdf
BCW30LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.96 грн
6000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G bcw30lt1d.pdf
BCW30LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3563+3.96 грн
6000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G bcw30lt1d.pdf
BCW30LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+14.14 грн
76+9.93 грн
77+9.86 грн
114+6.40 грн
250+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1-D.PDF
BCW30LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.64 грн
34+8.89 грн
100+5.53 грн
500+3.79 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G bcw30lt1d.pdf
BCW30LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G BCW30LT1-D.PDF
BCW30LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V PNP
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G bcw30lt1d.pdf
BCW30LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW30LT1G bcw30lt1d.pdf
BCW30LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.