BCW32LT1G ON Semiconductor
на замовлення 16708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 572+ | 1.05 грн |
| 3000+ | 0.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW32LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BCW32LT1G за ціною від 0.94 грн до 14.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW32LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW32LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW32LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW32LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW32LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 16878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW32LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN |
на замовлення 8936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BCW32LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |