Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BCW32LT1G
BCW32LT1G

BCW32LT1G ON Semiconductor

bcw32lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12500+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 12500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW32LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BCW32LT1G за ціною від 1.07 грн до 14.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8334+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 8334
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
334+2.14 грн
568+1.26 грн
667+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 334
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
331+2.15 грн
560+1.27 грн
616+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.35 грн
100000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : onsemi bcw32lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.56 грн
6000+2.20 грн
9000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4824+2.58 грн
6000+2.12 грн
12000+2.09 грн
18000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 4824
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4808+2.59 грн
6000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 4808
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.75 грн
6000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.77 грн
6000+2.27 грн
12000+2.24 грн
18000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013215051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ONSEMI 2354021.pdf Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.64 грн
1500+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ONSEMI 2354021.pdf Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+13.05 грн
112+7.68 грн
169+5.07 грн
500+3.64 грн
1500+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : onsemi bcw32lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 16868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.16 грн
42+7.60 грн
100+4.69 грн
500+3.20 грн
1000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : onsemi BCW32LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
на замовлення 7547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.75 грн
50+7.08 грн
100+4.03 грн
500+3.12 грн
1000+2.81 грн
3000+2.28 грн
6000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G Виробник : ONSEMI bcw32lt1-d.pdf BCW32LT1G NPN SMD transistors
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.58 грн
434+2.58 грн
1192+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G Виробник : ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.