Продукція > ONSEMI > BCW32LT1G
BCW32LT1G

BCW32LT1G onsemi

bcw32lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.41 грн
6000+2.07 грн
9000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW32LT1G onsemi

Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BCW32LT1G за ціною від 1.79 грн до 13.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCW32LT1G BCW32LT1G onsemi bcw32lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 16868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
42+7.16 грн
100+4.42 грн
500+3.01 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G onsemi BCW32LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
на замовлення 7547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.46 грн
50+6.42 грн
100+3.65 грн
500+2.82 грн
1000+2.55 грн
3000+2.07 грн
6000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1G ONSEMI 2354021.pdf Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.82 грн
97+8.36 грн
157+5.14 грн
500+3.49 грн
1500+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G bcw32lt1-d.pdf
BCW32LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 16868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.40 грн
42+7.16 грн
100+4.42 грн
500+3.01 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G BCW32LT1-D.PDF
BCW32LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
на замовлення 7547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
26+12.46 грн
50+6.42 грн
100+3.65 грн
500+2.82 грн
1000+2.55 грн
3000+2.07 грн
6000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW32LT1G 2354021.pdf
BCW32LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
59+13.82 грн
97+8.36 грн
157+5.14 грн
500+3.49 грн
1500+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.