BCW33,215 Nexperia
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6865+ | 4.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW33,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BCW33,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCW33,215 за ціною від 3.10 грн до 29.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCW33,215 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 29500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW33,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW33,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW33,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BCW33/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW33,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW33,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW33,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW33,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BCW33,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW33,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCW33,215 | Виробник : NEXPERIA |
BCW33.215 NPN SMD transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCW33,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN; Uceo, В = 32; Ic = 100 мА; ft, МГц = 100; hFE = 420 @ 2 мA, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.21 @ 2.5 мA, 50 мA; Р, Вт = 0,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
BCW33,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BCW33,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |