Технічний опис BCW33LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3, Power - Max: 300 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BCW33LT1G за ціною від 1.17 грн до 12.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCW33LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW33LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW33LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW33LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW33LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW33LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW33LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW33LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 9046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BCW33LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN |
на замовлення 4127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420...800 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BCW33LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
NPN 32V 0.2A 0.25W SOT-23 |
на замовлення 488 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BCW33LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW33LT1G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 32, SOT-23-3tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCW33LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17442+ | 2.02 грн |
| BCW33LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17442+ | 2.02 грн |
| BCW33LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17442+ | 2.02 грн |
| BCW33LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.35 грн |
| 6000+ | 2.01 грн |
| BCW33LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2366+ | 5.96 грн |
| 3349+ | 4.21 грн |
| 3713+ | 3.80 грн |
| 5103+ | 2.67 грн |
| BCW33LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 118+ | 6.40 грн |
| 189+ | 3.99 грн |
| 304+ | 2.48 грн |
| 500+ | 1.69 грн |
| 1000+ | 1.41 грн |
| 3000+ | 1.17 грн |
| BCW33LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 112+ | 9.59 грн |
| 127+ | 5.96 грн |
| 500+ | 4.06 грн |
| 1000+ | 3.39 грн |
| 3000+ | 2.37 грн |
| BCW33LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 9046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.51 грн |
| 41+ | 7.38 грн |
| 100+ | 4.57 грн |
| 500+ | 3.11 грн |
| 1000+ | 2.73 грн |
| BCW33LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
на замовлення 4127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BCW33LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420...800 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420...800 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.68 грн |
| BCW33LT1G |
![]() |
Виробник: ON SEMICONDUCTOR
NPN 32V 0.2A 0.25W SOT-23
NPN 32V 0.2A 0.25W SOT-23
на замовлення 488 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 4.33 грн |
| BCW33LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW33LT1G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 32, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCW33LT1G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 32, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






