 
BCW33LT3G ON Semiconductor
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 17858+ | 1.73 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW33LT3G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 300 mW. 
Інші пропозиції BCW33LT3G за ціною від 1.45 грн до 13.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | BCW33LT3G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 760000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BCW33LT3G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BCW33LT3G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BCW33LT3G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 10000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BCW33LT3G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 420...800 Kind of package: reel; tape | на замовлення 165 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BCW33LT3G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 420...800 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 165 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BCW33LT3G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 36580 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BCW33LT3G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN | на замовлення 20164 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | BCW33LT3G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
| BCW33LT3G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 50000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
| BCW33LT3G Код товару: 183750 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності |