Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BCW33LT3G за ціною від 1.46 грн до 11.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCW33LT3G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW33LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW33LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW33LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 760000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW33LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW33LT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 36580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW33LT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN |
на замовлення 20164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BCW33LT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCW33LT3G | Виробник : On Semiconductor |
(NPN,32V,0.1A,B=420/800,SOT-23) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BCW33LT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 500, 10, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |