Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BCW33LT3G

BCW33LT3G

BCW33LT1-D.PDF
Код товару: 183750
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BCW33LT3G за ціною від 1.62 грн до 12.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCW33LT3G BCW33LT3G onsemi BCW33LT1-D.PDF Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.86 грн
20000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G BCW33LT3G ON Semiconductor bcw33lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 760000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17858+1.97 грн
100000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 17858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G BCW33LT3G ON Semiconductor bcw33lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17858+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 17858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G BCW33LT3G ON Semiconductor bcw33lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+9.49 грн
131+5.75 грн
212+3.54 грн
500+2.47 грн
1000+1.84 грн
2000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G BCW33LT3G ONSEMI BCW33LT1-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 420...800
Kind of package: reel; tape
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.64 грн
64+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G BCW33LT3G onsemi BCW33LT1-D.PDF Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
на замовлення 56209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.32 грн
42+7.12 грн
100+4.43 грн
500+3.02 грн
1000+2.65 грн
2000+2.33 грн
5000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G BCW33LT3G onsemi BCW33LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
на замовлення 19290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G ONSEMI ONSMS21164-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G BCW33LT1-D.PDF
BCW33LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.86 грн
20000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G bcw33lt1-d.pdf
BCW33LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 760000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17858+1.97 грн
100000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 17858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G bcw33lt1-d.pdf
BCW33LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17858+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 17858 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G bcw33lt1-d.pdf
BCW33LT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+9.49 грн
131+5.75 грн
212+3.54 грн
500+2.47 грн
1000+1.84 грн
2000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G BCW33LT1-D.PDF
BCW33LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Collector-emitter voltage: 32V
Current gain: 420...800
Kind of package: reel; tape
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.64 грн
64+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G BCW33LT1-D.PDF
BCW33LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
на замовлення 56209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.32 грн
42+7.12 грн
100+4.43 грн
500+3.02 грн
1000+2.65 грн
2000+2.33 грн
5000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G BCW33LT1-D.PDF
BCW33LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
на замовлення 19290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G ONSMS21164-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.