Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BCW33LT3G за ціною від 1.22 грн до 13.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCW33LT3G | onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCW33LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 760000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCW33LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCW33LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCW33LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCW33LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCW33LT3G | onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 25999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCW33LT3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN |
на замовлення 20895 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BCW33LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCW33LT3G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.01 грн |
| BCW33LT3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 760000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17858+ | 2.02 грн |
| 100000+ | 1.69 грн |
| BCW33LT3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17858+ | 2.02 грн |
| BCW33LT3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17858+ | 2.02 грн |
| BCW33LT3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17858+ | 2.02 грн |
| BCW33LT3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 6.59 грн |
| 193+ | 3.99 грн |
| 305+ | 2.52 грн |
| 500+ | 1.70 грн |
| 1000+ | 1.28 грн |
| 2000+ | 1.22 грн |
| BCW33LT3G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 25999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.26 грн |
| 39+ | 7.73 грн |
| 100+ | 4.75 грн |
| 500+ | 3.24 грн |
| 1000+ | 2.85 грн |
| 2000+ | 2.51 грн |
| 5000+ | 2.11 грн |
| BCW33LT3G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN
на замовлення 20895 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.37 грн |
| 38+ | 8.08 грн |
| 100+ | 4.36 грн |
| 500+ | 3.18 грн |
| 1000+ | 2.51 грн |
| 5000+ | 2.07 грн |
| 10000+ | 1.55 грн |
| BCW33LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





