BCW60DE6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48000+ | 3.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW60DE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.
Інші пропозиції BCW60DE6327HTSA1 за ціною від 4.48 грн до 4.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCW60DE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
BCW60DE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BCW60DE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
BCW60DE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW |
товар відсутній |
|||||
|
|
BCW60DE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW |
товар відсутній |
|||||
 |
BCW60DE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR |
товар відсутній |