BCW60FFE6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 5.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW60FFE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.
Інші пропозиції BCW60FFE6327HTSA1 за ціною від 3.83 грн до 5.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCW60FFE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BCW60FFE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BCW60FFE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BCW60FFE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 294000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| BCW60FFE6327HTSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW60FFE6327HTSA1 - BCW60 - LOW NOISE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
BCW60FFE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
BCW60FFE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
BCW60FFE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW |
товару немає в наявності |