BCW61BE6327HTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7076+ | 5.00 грн |
| 10000+ | 4.46 грн |
| 100000+ | 3.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW61BE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 330 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: PG-SOT23.
Інші пропозиції BCW61BE6327HTSA1 за ціною від 3.73 грн до 5.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCW61BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BCW61BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BCW61BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BCW61BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 193960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BCW61BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT23 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
BCW61BE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
товару немає в наявності |

