BCW61D,215 NXP Semiconductors
на замовлення 251000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6865+ | 4.51 грн |
| 10000+ | 4.01 грн |
| 100000+ | 3.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW61D,215 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: -100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCW61, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCW61D,215 за ціною від 3.02 грн до 19.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCW61D,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 17575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCW61D,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 32V .1A PNP BJT |
на замовлення 5704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCW61D,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCW61D,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
BCW61D,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
BCW61D,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
BCW61D,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |



