Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BCW65ALT1G за ціною від 2.68 грн до 14.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCW65ALT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCW65ALT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCW65ALT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 2894 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCW65ALT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCW65ALT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN |
на замовлення 13946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCW65ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW65ALT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2597 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCW65ALT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.68 грн |
| BCW65ALT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 254+ | 2.96 грн |
| BCW65ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 10.03 грн |
| 72+ | 5.93 грн |
| 105+ | 4.06 грн |
| 500+ | 3.39 грн |
| 1000+ | 2.99 грн |
| BCW65ALT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.24 грн |
| 37+ | 8.38 грн |
| 100+ | 5.18 грн |
| 500+ | 3.54 грн |
| 1000+ | 3.12 грн |
| BCW65ALT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 13946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BCW65ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW65ALT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BCW65ALT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






