Інші пропозиції BCW65CLT1G ON Semiconductor за ціною від 1.84 грн до 13.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCW65CLT1G | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW65CLT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW65CLT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCW65CLT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
BCW65CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 28648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BCW65CLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 28648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7654+ | 1.84 грн |
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.65 грн |
| 6000+ | 2.28 грн |
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33000+ | 3.04 грн |
| 45000+ | 3.00 грн |
| 48000+ | 2.98 грн |
| 60000+ | 2.84 грн |
| 75000+ | 2.61 грн |
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33000+ | 3.08 грн |
| 45000+ | 3.04 грн |
| 48000+ | 3.02 грн |
| 60000+ | 2.88 грн |
| 75000+ | 2.65 грн |
| 150000+ | 2.52 грн |
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.40 грн |
| 6000+ | 3.04 грн |
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4156+ | 3.40 грн |
| 6000+ | 3.04 грн |
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 196+ | 3.86 грн |
| 199+ | 3.80 грн |
| 202+ | 3.73 грн |
| 205+ | 3.55 грн |
| 250+ | 3.23 грн |
| 500+ | 3.05 грн |
| 1000+ | 2.99 грн |
| 3000+ | 2.94 грн |
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3433+ | 4.11 грн |
| 3632+ | 3.89 грн |
| 3857+ | 3.66 грн |
| 4110+ | 3.31 грн |
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...630
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...630
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 12.91 грн |
| 46+ | 9.42 грн |
| 53+ | 8.14 грн |
| 100+ | 4.56 грн |
| 500+ | 3.23 грн |
| 1000+ | 2.85 грн |
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.61 грн |
| 38+ | 8.32 грн |
| 100+ | 5.13 грн |
| 500+ | 3.50 грн |
| 1000+ | 3.08 грн |
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 28648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCW65CLT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 28648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)