Продукція > ONSEMI > BCW65CLT1G
BCW65CLT1G

BCW65CLT1G onsemi

bcw65alt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.73 грн
6000+2.35 грн
9000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW65CLT1G onsemi

Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BCW65CLT1G за ціною від 1.67 грн до 14.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+6.77 грн
176+4.28 грн
284+2.65 грн
500+1.85 грн
1000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1855+7.61 грн
1919+7.36 грн
1990+7.09 грн
3000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 1855 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+8.64 грн
90+8.38 грн
93+8.12 грн
100+7.58 грн
250+6.80 грн
500+6.31 грн
1000+6.08 грн
3000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G onsemi bcw65alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 14036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.08 грн
38+8.06 грн
100+4.98 грн
500+3.41 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G onsemi BCW65ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 19413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G bcw65alt1-d.pdf
BCW65CLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
112+6.77 грн
176+4.28 грн
284+2.65 грн
500+1.85 грн
1000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G bcw65alt1-d.pdf
BCW65CLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1855+7.61 грн
1919+7.36 грн
1990+7.09 грн
3000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 1855 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G bcw65alt1-d.pdf
BCW65CLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+8.64 грн
90+8.38 грн
93+8.12 грн
100+7.58 грн
250+6.80 грн
500+6.31 грн
1000+6.08 грн
3000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G bcw65alt1-d.pdf
BCW65CLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 14036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.08 грн
38+8.06 грн
100+4.98 грн
500+3.41 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65ALT1-D.PDF
BCW65CLT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 19413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G ONSM-S-A0013776880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW65CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G bcw65alt1-d.pdf
BCW65CLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G ONSM-S-A0013776880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCW65CLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.