Продукція > ONSEMI > BCW65CLT1G
BCW65CLT1G

BCW65CLT1G onsemi

bcw65alt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.93 грн
6000+2.52 грн
9000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW65CLT1G onsemi

Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BCW65CLT1G за ціною від 1.58 грн до 15.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.83 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+6.40 грн
176+4.04 грн
284+2.51 грн
500+1.75 грн
1000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1855+6.71 грн
1919+6.48 грн
1990+6.25 грн
3000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 1855
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
88+8.15 грн
90+7.91 грн
93+7.67 грн
100+7.16 грн
250+6.42 грн
500+5.95 грн
1000+5.74 грн
3000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 88
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : ONSEMI bcw65alt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...630
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.32 грн
53+7.68 грн
65+6.28 грн
100+4.54 грн
500+3.16 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : ONSEMI bcw65alt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...630
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.59 грн
32+9.57 грн
39+7.53 грн
100+5.45 грн
500+3.79 грн
1000+3.28 грн
3000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : onsemi BCW65ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 19413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+14.76 грн
41+8.84 грн
100+4.81 грн
500+3.57 грн
1000+3.11 грн
3000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : onsemi bcw65alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 14036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.12 грн
38+8.65 грн
100+5.35 грн
500+3.66 грн
1000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.76 грн
91+9.67 грн
198+4.41 грн
500+3.83 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW65CLT1G BCW65CLT1G Виробник : ON Semiconductor bcw65alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.