 
BCW66GLT1G ON Semiconductor
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 1.19 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW66GLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції BCW66GLT1G за ціною від 1.03 грн до 11.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 29350 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1833 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 51000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 285000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 285000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 14853 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 61284 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 28404 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 369 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 61284 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G Код товару: 173997 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 52766 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 369 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 28404 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V | на замовлення 72291 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||||||
|   | BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності |