BCW66GLT1G ON Semiconductor
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCW66GLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BCW66GLT1G за ціною від 1.01 грн до 11.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 29350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BCW66GLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BCW66GLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 61284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW66GLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 52766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BCW66GLT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V |
на замовлення 88740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BCW66GLT1G Код товару: 173997
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 61284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCW66GLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 31419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | Виробник : ONSEMI |
BCW66GLT1G NPN SMD transistors |
на замовлення 814 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
BCW66GLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |